關(guān)鍵詞：mosfet 

摘要：VishayIntertechnology推出了3款采用小尺寸、表面貼裝PowerPAK~?SO-8L封裝的N溝道器件,擴(kuò)充其600V和650VE系列功率MOSFET。VISHAY600VSiHJ8N60E、650VSiHJ6N65E和SiHJ7N65EMOSFET更省空間,可替代TO-252(DPAK)封裝的MOSFET,具有低封裝電感。

半導(dǎo)體信息雜志要求:

{1}來(lái)稿之基金項(xiàng)目名稱(chēng)、編號(hào)務(wù)必標(biāo)示。

{2}編輯部對(duì)來(lái)稿有刪修權(quán)，不同意刪修的請(qǐng)?jiān)趤?lái)稿中聲明。

{3}參考文獻(xiàn)在引文末尾用方括號(hào)加序號(hào)注明，按順序全文排序，序號(hào)同文末的列表序號(hào)一致。

{4}關(guān)鍵詞選擇貼近文義的規(guī)范性單詞或組合詞（3—5個(gè)）。

{5}所有作者的作者簡(jiǎn)介（姓名、工作單位、職稱(chēng)、研究方向）；通訊作者請(qǐng)?jiān)偬峁╇娮余]箱。

注：因版權(quán)方要求，不能公開(kāi)全文，如需全文，請(qǐng)咨詢(xún)雜志社