關鍵詞：電壓折回 氧化槽 恢復損耗 

摘要：提出了一種1.2kV氧化槽交替隔離型RC-IGBT結構。通過采用和正面柵極工藝相同的溝槽刻蝕技術,在器件背面形成交替出現的氧化槽,氧化槽結構增大了RC-IGBT背部N^+ Collector和P^+ Collector之間的短路電阻,從而從根本上消除了傳統結構的電壓折回(Snapback)現象。為了不增加工藝難度,氧化槽的寬度和柵極的寬度完全一致。研究了氧化槽的深寬比對Snapback現象的影響規律,以及氧化槽之間N^+ Collector與P^+ Collector摻雜長度對器件特性的影響。結果表明,新結構的設計能完全消除Snapback現象,且相較傳統結構,元胞尺寸減小了一半,并且器件恢復損耗降低了30%。

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