一種基于有源真時(shí)延的低復(fù)雜度波束形成器設(shè)計(jì)

李泰安; 張為; 林建烽; 郝東寧 天津大學(xué)微電子學(xué)院; 天津300072

關(guān)鍵詞:低復(fù)雜度 有源真時(shí)延單元 波束形成 群延時(shí) 超寬帶 

摘要:基于0.18μmBiCMOS工藝,實(shí)現(xiàn)一種基于有源真時(shí)延技術(shù)的低復(fù)雜度波束形成架構(gòu)設(shè)計(jì).該波束形成架構(gòu)適用于多路輸出的寬帶多天線系統(tǒng),能夠?qū)⑤斎氲疥嚵兄械男盘?hào)進(jìn)行空間濾波處理,抑制噪聲和干擾,增強(qiáng)有用信號(hào).相比于傳統(tǒng)的波束形成架構(gòu),該架構(gòu)通過真時(shí)延單元共享,實(shí)現(xiàn)了低復(fù)雜度(更少的延時(shí)單元數(shù)量),并采用改進(jìn)的有源真時(shí)延單元,在保證穩(wěn)定延時(shí)的同時(shí),有效降低了芯片面積,相比同樣功能的無源結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)方案,面積節(jié)省了近80%.仿真結(jié)果表明,在0.3G~1GHz頻帶內(nèi),波束形成芯片能夠同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)空間中四個(gè)不同方向的信號(hào)合成,最小延時(shí)分辨率是103ps,最大延時(shí)是1030ps,延時(shí)波動(dòng)小于2.4%,電源電壓為1.8V,輸入、輸出端口回波損耗小于-13.8dB,帶內(nèi)合成增益為25dB,版圖面積為3.8mm2.

南京大學(xué)學(xué)報(bào)·自然科學(xué)雜志要求:

{1}基金項(xiàng)目的成果或論文,請(qǐng)?jiān)谑醉?yè)注明基金項(xiàng)目類別、課題項(xiàng)目名稱及編號(hào)。

{2}稿件要求資料真實(shí)可靠,內(nèi)容充實(shí),論點(diǎn)明確,推論嚴(yán)謹(jǐn),設(shè)計(jì)合理,數(shù)據(jù)準(zhǔn)確,結(jié)構(gòu)嚴(yán)密,層次分明,文通句順,字跡端正。

{3}題名:恰當(dāng)、準(zhǔn)確、簡(jiǎn)明、清楚的反映論文全部重要信息,盡可能將表達(dá)核心內(nèi)容的主題詞放在題名開頭,保證檢索的敏感性和特異性。慎用縮略語(yǔ)、特殊符號(hào)、疾病例數(shù)等。一般不超過20個(gè)漢字。

{4}參考文獻(xiàn)緊接正文,重復(fù)文獻(xiàn)請(qǐng)以第一次出現(xiàn)的次序標(biāo)注。

{5}摘要須簡(jiǎn)潔客觀地反映文章主要內(nèi)容及觀點(diǎn),字?jǐn)?shù)在300字以內(nèi)。關(guān)鍵詞是反映文章主要內(nèi)容及觀點(diǎn)的詞或詞組,數(shù)量為3~8個(gè),多個(gè)關(guān)鍵詞之間用分號(hào)分隔。

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