探測(cè)器級(jí)單晶金剛石材料的生長

劉金龍; 李成明; 朱肖華; 邵思武; 陳良賢; 魏俊俊 北京科技大學(xué)新材料技術(shù)研究院; 北京100083

關(guān)鍵詞:金剛石 探測(cè)器 氮雜質(zhì) 位錯(cuò)密度 

摘要:采用高質(zhì)量高溫高壓?jiǎn)尉Ы饎偸r底,通過等離子體環(huán)境凈化的方法獲得高純、低缺陷密度金剛石材料,有望應(yīng)用于醫(yī)療、核、宇宙射線等輻射探測(cè)器。采用微波化學(xué)氣相沉積方法成功外延生長出了8 mm×8 mm的高質(zhì)量單晶金剛石材料。晶體內(nèi)無明顯的應(yīng)力集中區(qū),X射線搖擺曲線(004)峰半高寬0. 008°,PL光譜中未見與氮相關(guān)雜質(zhì),基于電子順磁共振測(cè)試孤氮雜質(zhì)含量為23ppb。

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