關(guān)鍵詞：薄膜材料 zno 薄膜晶體管 退火溫度 遷移率 

摘要：為研究退火溫度(從室溫到500℃)對ZnO薄膜和薄膜晶體管(thin-film transistor,TFT)電性能的影響,使用X射線衍射、掃描電子顯微鏡、原子力顯微鏡、X射線光電子能譜和光致發(fā)光等技術(shù)對ZnO-TFT進行表征。實驗結(jié)果表明,具有400℃退火溫度的ZnO-TFT表現(xiàn)出最佳性能,遷移率為2.7cm^2/Vs,閾值電壓為4.6V,開/關(guān)電流比為5×10^5,亞閾值擺幅為0.98V/Dec。電性能的改善可歸因于載流子濃度的降低,ZnO膜結(jié)晶的增強,以及氧化物半導(dǎo)體層和絕緣層之間界面的改善。

深圳大學(xué)學(xué)報·人文社會科學(xué)版雜志要求:

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{2}來稿具有科學(xué)性、先進性和實用性，論點鮮明、論據(jù)充分、數(shù)據(jù)準確、邏輯嚴謹、文字通順、圖表規(guī)范。

{3}題目簡明扼要，緊扣主題，要有足夠的信息，能引起讀者的興趣，便于檢索。一般不用符號、公式和縮略語。題目中不建議過多使用定冠詞，尤其首字母不使用定冠詞。

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